“将来30年，假如我们不管理芯片本身制造的问题，所谓的信息化时代会落空一个非常主要的依托和根基。”中国科学院微电子研究所所长叶甜春16日在福建晋江进行的国际集成电路工业成长岑岭论坛上如是说。

　　据介绍，存储器芯片是智妙手机、平板电脑、可穿戴设备等各类智能终端产物不行或缺的环节器件。然而，我国一向是全球集成电路范畴最大商业逆差国，每年进口额高出两千亿美元，此中，存储器芯片是国内集成电路工业链的首要短板，恒久以来市场一向被海外巨头紧紧把握。以动态随机存取存储器(DRAM)和闪存(NANDFlash)两种首要存储芯片为例，本年第一季度，DRAM市场93%份额由韩国三星、海力士和美国美光科技三家据有，而闪存市场几乎所有被三星、海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔等六家瓜分。

　　鼎力成长存储器不仅是市场需求，同时也是信息平安和工业平安的计谋需要。国度集成电路工业投资基金总裁丁文武在论坛上默示，应该把成长存储器芯片作为国度计谋来实施。

　　据悉，为打破“缺芯之痛”，国内多地起头斥巨资结构存储器芯片研发出产范畴。今朝，首都、武汉、晋江等地成长存储器工业的积极性高涨，各类资金也加快向这一范畴汇集。

　　当日，一期投资370亿元的福建晋华存储器集成电路出产线项目在福建晋江开工。该项目出力打造具有自立常识产权的世界级存储器集成电路工业链，估计于2018年9月形成月产6万片12寸晶圆的出产规模，项目建成后将填补我国主流存储器集成电路工业空白。

　　在此之前，首都紫光集团旗下同方国芯颁布设计定增800亿元，投入存储芯片工场和上下流工业链结构;别的在武汉，本年3月下旬，总投资约1600亿元人民币的存储器基地项目在东湖高新(7.960,-0.10,-1.24%)区正式启动，设计到2020年实现月产能30万片晶圆的出产规模。以此测算，这三家企业在存储器芯片方面的投资总额将高出2700亿人民币。

　　出席论坛的台湾集邦科技研究协理郭祚荣在接管记者采访时默示，今朝海外企业在存储器范畴本钱输出放缓，产出也会响应削减，这为大陆企业带来杰出契机。将来五到十年内，大陆企业有机会与世界行业巨头平起平坐。

　　充足的资金撑持和庞大的内需市场，以及业已形成的本土化集成电路工业生态，为国内企业进军存储器芯片范畴供给了成长根基。但不容轻忽的是，存储器芯单方面临高手艺壁垒和激烈的全球化竞争，之前就有很多涉足存储器芯片范畴的厂商最后被迫退出市场的先例。

　　为此，叶甜春默示，国内企业在当前新形势下成长存储器工业，不该只是简洁追赶，而要加倍注重手艺原创和市场立异;应做好恒久筹办，在资金上确连结续投入;别的，更为环节的是，要在藏身自身市场特点的根基上追求世界领先程度。